Kalifornian Santa Barbaran yliopiston tutkijat ovat tunnistaneet nykyisten ledien atomirakenteessa vikoja, jotka leikkaavat tarpeettomasti ledien valotehoa. Uusien rakenteiden avulla tutkijat uskovat voivansa kehittää entisä tehokkaampia ja pitkäkestoisempia ledejä.

Tuloksiin päästiin käyttämällä alan parhaita teoreettisia menetelmiä. Kalifornialaistutkijat uskovat, että tällaisten pistevirheiden tutkiminen voi johtaa entistäkin tehokkaamman ja pitkäkestoisemman ledivalaistuksen valmistukseen.

Kun ledirakenteessa elektroni kohtaa aukon, se siirtyy alempaan energiatilaan ja emittoi fotonin. Joskus kuitenkin varauksenkuljettajat kohtaavat mutta eivät emittoi valoa, tuottaen ns Shockley-Read-Hall (SRH) rekombinaation. Tutkijoiden mukaan, varauksenkuljettajat tulevat hilan kaappaamiksi, jossa ne yhdistyvät mutta ilman, että emittoisivat valoa.

Havaitut viat sisältävät galliumvakansseja sekä hapen ja vedyn komplekseja. ”Näitä vikoja on aiemmin havaittu nitridipuolijohteissa, mutta toistaiseksi niiden haitallisia vaikutuksia ei ole ymmärretty” selvittää tutkimuksen johtava kirjoittaja Cyrus Dreyer, joka teki monet tutkimuspaperin laskelmista.

LISÄÄ: Nanobitteja-sivustolta (LINKKI) tai yliopiston tutkimusartikkelista (LINKKI).

Kuva: UCSB / Peter Allen illustration