Vuosikymmenien ajan tutkijat ovat yrittäneet hyödyntää hiilinanoputkien ainutlaatuisia ominaisuuksia luodakseen yhä tehokkaampaa elektroniikkaa. Nyt yhdysvaltalaisen Wisconsin-Madison-tutkijoiden hiilinanoputkitransistorit päihittävät jo piin. Katso myös video.

Haasteita on riittänyt ja vasta viime aikoina on onnistuttu tuottamaan alalla kaivattuja puhtaita puolijohtavia hiilinanoputkia. Passiivissa tuotteissa hiilinanoputket ovat jo tutumpia ja äskettäin Fujitsu lisensoi hiilinanoputkisiin muisteihin erikoistuneen Nanteron tekniikkaa vastatakseen yhä nopeampien haihtumattomien muistien kysyntään.

Nyt University of Wisconsin-Madisonin materiaali-insinöörit ovat luoneet ensimmäiset hiilinanoputkiset transistorit, jotka ovat parempia kuin state-of-the-art piitransistorit. Tutkijoiden hiilinanoputkitransistorit saavuttavat virran, joka on 1,9 kertaa suurempi kuin piitransistoreilla.

”Tämä saavutus on ollut nanoteknologian unelma viimeiset 20 vuotta”, toteaa apulaisprofessori Michael Arnold. ”Tehdä hiilinanoputkitransistoreita, jotka ovat parempia kuin piitransistorit on suuri virstanpylväs”.

Ekstrapoloimalla yksittäisen nanoputken mittauksista on todettu, että hiilinanoputkitransistorit voisivat toimia jopa viisi kertaa nopeammin tai käyttää viisi kertaa vähemmän energiaa kuin piitransistorit.

Mahdolliset nanoputkitransistorit ovat erityisen lupaavia langattomalle viestintätekniikalle, jotka vaativat kohtuullista virrankulkua suhteellisen pienellä alueella.

LISÄÄ: Nanobitteja.fi (LINKKI) ja tutkijoiden tiedote (LINKKI) sekä video (LINKKI, youtube)

Kuva: UW-Madison jatko-opiskelija Gerald Brady ja apulaisprofessori Michael Arnold käyttivät liuosprosessia saostaakseen hiilinanoputkien linjattuja ryhmiä 1 x 1 tuuman alustalle. Kuva: Stephanie Precourt/UW–Madison College of Engineering

LUE – UUTTA  – LUE – UUTTA – LUE – UUTTA

Uusi ammattilehti huipputekniikan kehittäjille – Lue ilmaiseksi verkossa!

http://issuu.com/uusiteknologia.fi/docs/1_2016?e=19307983/35580639