Dresdenin (HZDR) ja Baselin yliopistojen tutkijat ovat luoneet perustan uudelle muistiratkaisulle, joka toimisi huomattavasti vähemmällä energialla kuin nykyiset muistipiirit.

Dresden ja Basel tutkimusryhmät ovat nyt onnistuneet kehittämään uudenlaisen antiferromagneettis magnetosähköisen muistin ja siitä ensimmäisen AF-MERAM-prototyypin.

Uutuus perustuu ohueen kerrokseen kromioksidia, joka on asetettu kahden nanometrin ohuen elektrodin väliin. ”Periaatteessa näitä muistisiruja voidaan valmistaa käyttämällä alan standardimenetelmiä”, toteavat tutkijat HZDR-tutkimuslaitoksen tiedotteessa.

Materiaali toimii huoneenlämpötilassa, mutta vain kapealla alueella. Toistaiseksi vain yksi toimiva muistielementti on toteutettu ja seuraava askel, onkin rakentaa joukko useita muistisoluja.

LISÄÄ: Nanobitteja.fi (LINKKI) ja tutkijoiden tiedote (LINKKI)

Kuva: HZDR/ T. Kosub

LUE – UUTTA  – LUE – UUTTA – LUE – UUTTA

Uusi ammattilehti huipputekniikan kehittäjille – Lue ilmaiseksi verkosta!

https://issuu.com/uusiteknologia.fi/docs/2_2016