Chalmersin tutkijoiden kehittämä ilmaisin havaitsee huonelämpötilassa signaalit taajuusalueella 330 – 500 gigahertsiä. Se on läpikuultava ja joustava ja se sopii erilaisiin sovelluksiin kuten kuvantamiseen (THz-kamera), mutta myös antureiksi erilaisten aineiden tunnistamiseen.
Ilmaisin perustuu antennikytkettyyn grafeeniseen kenttävaikutustransistoriin (GFET). THz-teho vastaanotetaan rusettimaisella antennilla, joka tuottaa epäsymmetrisen kytkentätilanteen transistorin lähteen ja nielun välille. Chalmersin tutkijat ovat kehittäneet joustavan ilmaisimen terahertsien taajuuksille muovialustalla olevien grafeenisten transistoreiden avulla.
Neljän tuuman 175 um:n paksuinen PET-substraatti katettiin yksikerroksisella grafeenilla CVD-tekniikalla. Grafeenikanavat ja hilaelektrodit muokattiin elektronisädelitografialla (EBL) ja erilaisilla lisäaine ja hapetusprosesseilla.
Lisää: Nanobitteja.fi (LINKKI), tiedoteuutinen (LINKKI) ja tutkijoiden artikkeli tiedelehti Applied Physics Lettersissä (LINKKI) ja video
Kuva: Video-esityksestä (LINKKI, Youtube) Chalmers University of Technology
Uusimmat teknologiauutiset kätevästi uutiskirjeessä – kerran viikossa (LINKKI).
LUE – UUTTA – LUE – UUTTA – LUE – UUTTA
Uusi ammattilehti huipputekniikan kehittäjille – Lue ilmaiseksi!
https://issuu.com/uusiteknologia.fi/docs/2_2017