Japanilainen Renesas kehittää FinFET-transistoreilla isoja flash-muisteja mikro-ohjaimiinsa. Uutta tekniikkaa esiteltiin joulukuun alussa järjestetyssä piiritekniikan IEDM17—kongressissa. Käytännön piiriratkaisuja odotetaan vasta useiden vuosien päästä.
Renesas kertoi kehittäneensä ensimmäisen suuren mittakaavan flash-muistit Split-Gate Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (SG-MONOS) prosessilla toteutetuissa mikropiireissä. Toteutus on yrityksen mukaan merkittävä edistysaskel kohti yli 100 megatavun flash-muistien toteuttameksi 16 – 14 nm:llä yhden piirin mikro-ohjaimiin.
Tällä hetkellä Renesas valmistaa mikro-ohjainopiirejä 40 nanometrin prosessilla käyttämällä SG-MONOS -rakenteista flash-muistia. Yritys on kehittämässä myös 28 nanometrin mikro-ohainpiirejä.
Vuosi sitten Renesas Electronics vahvisti jo ensimmäisen kerran SG-MONOS flash-muistisolujen toiminnan, joissa käytettiin evärakenteisia transistoreita. Samalla käyttöön otettiin jo aiemmin hyväksi havaittu varausansatyypinen flash-muistitekniikkaa.
SG-MONOS-flash-muisti tallentaa datan piisubstraatin pinnalle muodostetulle ohuelle ansakalvolle. Sellainen on kohtuullisen helppo sovittaa evärakenteeseen kolmiulotteisessa rakenteessa. Se on myös hyvin yhteensopiva 16/14nm:n logiikkapiiriprosessien kanssa, joissa käytetään samanlaista evärakennetta.
Myös varauksen säilyvyysominaisuudet, jotka ovat varausloukkutyyppisen flash-muistin omimpia ominaisuuksia, eivät heikkene evärakenteen käyttöönoton yhteydessä. Lisäksi Renesas on varmistanut, että samat luotettavuusominaisuudet kuin olemassa olevilla piireillä voidaan saavuttaa.
TAUSTAA: Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon (MONOS) on rakenne, jossa kukin transistori (muistisolu) koostuu kolmesta kerroksesta: oksidista, nitridistä ja oksidista piiperustalla ja yläpinnan metallisesta ohjausportista.
Uusimmat teknologiauutiset kätevästi uutiskirjeessä – kerran viikossa (LINKKI).
LUE – UUTTA – LUE – UUTTA – LUE – UUTTA
Uusi ammattilehti huipputekniikan kehittäjille – Lue tästä ilmaiseksi!
https://issuu.com/uusiteknologia.fi/docs/2_2017