Nykyinen memristoritekniikka kärsii suuresta vaihtelusta signaalien tallentamisessa ja luennassa eri piirien yli sekä erityyppisille memristoreille että saman memristorin eri ajoille. Nyt kalifornialaisyliopiston kehittämä rinnakkainen käsittelymenetelmä lupaa tehostaa keinotekoisten synapsien tehokkuutta ja tarkkuutta tekemällä memristoreista atomin ohuita.

Kalifornilaistutkijoiden kehittämä binäärinen memristori on rakennettu atomisen ohuista boorinitridin filamenteista. Kun niitä asetetaan useita rinnakkain niin näin saavutettiin jopa viisinkertainen tarkkuus.  Perusrakenteiden alle nanometrien mitoilla saavutettiin 10 000 -kertainen energiatehokkuus kuin tällä hetkellä käytettävissä olevissa memristoreissa.

University of Southern Californian professori Carlos Sanchezin ryhmä jatkaa edelleen esittämään yhdistesynapsien potentiaalia osoittamalla niiden käytön monimutkaisten tehtävien, kuten kuvan ja kuvion tunnistuksen, suorittamiseksi.

Myös hollantilaisessa Groningein yliopistossa aihetta tutkittiin puolestaan niobiumilla seostetusta strontiumtitanaatista valmistetuilla memristoreilla. Mittauksen osoittivat, että resistanssisuhde vähintään 1000 on toteutettavissa.

Tutkijat olivat erityisen kiinnostuneita myös resistenssitilojen ajallisuudesta. Huomattiin, että resistanssin asettamien pulssien kesto määrittäisi kuinka kauan ”muisti” kesti. Tämä voi olla välillä 1-4 tuntia pulsseille, jotka kestävät sekunnin ja kahden minuutin välillä. Lisäksi havaittiin, että sadankaan kytkentäjakson jälkeen materiaali ei osoittanut merkkejä heikkenemisestä.

Lisää: Nanobitteja-sivuston memristori-artikkeleita (LINKKI) ja USC:n tutkijoiden tiedeartikkeli Journal of Applied Physics-lehdessä (LINKKI) sekä Groningein yliopiston sivut  (LINKKI).