Espanjalaistutkijat ovat kehittäneet eurooppalaisessa Graphene Flagship-hankkeessa grafeenipohjaisen implantin, jonka avulla  voidaan aivoista tunnista erittäin matalataajuista ja laaja-alaista sähköistä toimintaa. Tulokset voivat olla myös tie aivotietokoneiden rajapinnoiksi.

Barcelona Microelectronics Institute (IMB-CNM, CSIC) ja Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2) -tutkijoiden kehittämä tekniikka mahdollistaa siirtyä pois elektrodeista sillä se hyödyntää innovatiivista transistoripohjaista arkkitehtuuria, joka vahvistaa aivojen signaaleja in situ ennen niiden lähettämistä vastaanottoon. Teknologia kykenee lukemaan aina 0,1 hertsin alapuolella olevaa informaatiota.

Toisin kuin tavalliset passiivielektrodit, aktiivisien grafeenipohjaisien liuos-portti kenttävaikutustransistoreiden (gSGFET) matriisi tehostaa monipistemittausten toteuttamista. Se lisää dramaattisesti seurantakohtien määrää aivoissa mikä voi johtaa uuden sukupolven aivotietokoneen rajapintojen kehittämiseen, toteavat tutkijat Graphene Flagshipin tiedotteessa.

Grafeenista on valmistettavissa monenlaisia herkkiä antureita mutta tämän saavuttamiseksi grafeeniin täytyy kuitenkin saada hyviä sähköisiä kontakteja, kun ne integroidaan perinteiseen elektroniikkapiiriin.

Ongelmana on ollut, että koteloimattomana grafeeni on herkkä kosteudelle, ympäröivän ilman vesimolekyyleille. Ruotsalaisen KTH:n Royal Institute of Technologyn tutkijat ovat kuitenkin havainneet, että kun grafeeni sitoutuu elektroniikkapiirien metalliin, kosteus ei häiritse kontaktiresistanssia.

Eurooppalaisen Graphene Flaship-ohjelman tuloksia esitellään helmikuun lopulla Barcelonassa järjestettävillä Mobile World Conference-tapahtumassa.