Berliiniläinen Ferdinand-Braun-instituutti (FBH) on saavuttanut läpimurron galliumoksidiin (ß-Ga2O3) perustuvilla transistoreilla. Heidän kehittämät beta-Ga2O3 -MOSFETit tarjoavat suuren läpilyöntijännitteen yhdistettynä suureen virranjohtokykyyn.

Peräti 1,8 kilovoltin läpilyöntijännitteellä ja ennätyksellisellä tehoarvolla 155 megawattia neliösenttimetrillä saavutetaan ainutlaatuiset suoritusarvot lähellä galliumoksidin teoreettista materiaalirajaa. Samaan aikaan saavutetut läpilyönnin kenttävahvuudet ovat huomattavasti suuremmat kuin vakiintuneilla laajan kaistaeron puolijohteilla, kuten piikarbidilla tai galliumnitridillä.

Parannusten saavuttamiseksi FBH-ryhmä käsitteli kerrosrakennetta ja porttitopologiaa. Perustan tuottivat Leibniz Institute for Crystal Growthin substraatit optimoidulla epitaksiaalikerroksen rakenteella. Seurauksena oli, että vikatiheyttä voitiin vähentää ja sähköisiä ominaisuuksia parantaa.

Tehokkaat elektroniikkakomponentit ovat välttämättömiä tulevaisuudessa. Mahdollisimman pienen jalanjäljen ohella niiden tulisi tarjota alhainen energiankulutus ja saavuttaa yhä suurempia tehotiheyksiä. Tämä on se raja missä perinteiset piirit saavuttavat rajansa. Siksi tutkijat ympäri maailmaa tutkivat uusia materiaaleja ja komponentteja, jotka täyttäisivät nämä vaatimukset.

Lisää: Nanobitteja.fi (LINKKI), FBN:n uutistiedote (LINKKI) ja tutkijoiden tiedeartikkeli IEEE Electron Device Lettersissä (LINKKI).

Kuva: Galliumoksidisiru, jossa on transistori- ja mittausrakenteita. Se on valmistettu FBH:ssa projisointitografialla. Lähde: FBH/schurian.com