Samsung tuo kuluttajamarkkinoille uuden M2-liitettävän NVME-SSD-muistikampa-aseman 980, jossa ei käytetä DRAM-välimuistia. Uutuus on valmistajan mukaan silti nopeampi kuin muut vastaavat ilman DRAM-muistia toteutetut SSD-muistituotteet.

Samsungin uusi 980 hyödyntää Host Memory Buffer (HMB) -tekniikkaa, joka yhdistää laitteen suoraan kokoonpanon suorittimen DRAM-muistiin suorituskykyongelmien ehkäisemiseksi.  Aiemmin ilman DRAM-muistia valmistetut tuotteet ovat voineet yrityksen tiedotteen mukaan kärsiä hitaudesta tilanteissa, joissa välimuisti ei ole saatavilla tiedonhakuun hetimiten.

Muistikammassa on käytössä Samsungin kuudennen sukupolven V-NAND-piirit sekä optimoitu SSD-ohjain ja -ohjelmisto.  Uutuuden peräkkäiset luku- ja kirjoitusnopeudet ovat jopa 3 500 ja 3 000 Mt/s ja satunnaiset luku- ja kirjoitusnopeudet jopa 500 000 ja 480 000 IOPS:ia.

Takuukirjoitusmääriksi ilmoitetaan teratavun versiolla 600 TBW, 500 gigan asemalla 300 ja 250 asemalla 150 TBW (TBW=kirjoitettua teratavua) tai viisi vuotta.

Moduulien Intelligent TurboWrite 2.0 -tekniikka tarjoaa yrityksen mukaan aiempaa paremman jatkuvan suorituskyvyn varaamalla aiempaa selvästi suuremman puskuritilan sisäiseen käyttöön.

Muistin Magician 6.3 -hallintaohjelmistoon on lisätty uusi Full Power Mode, joka antaa laitteen toimia täydellä teholla jatkuvasti.  Uutuudessa on nikkelipäällyste ohjaimessa ja SSD:n takana olevassa lämmönlevittimessä, mikä pitää huolen tehokkaasta lämmönhallinnasta.

Uuden aseman energiatehokkuutta on myös valmistajan mukaan parannettu edelliseen 970 EVO -malliin verrattuna.

Lisää: Samsung tuotetiedot (LINKKI)