Tulevissa flash-muisteissa käytetään yli kahta sataa muistikerrosta. Sekä Micron että SK Hynix ovat jo julkaisseet tällaisia Nand-piirejä tuleviin SSD- ja  sulautettuihin muistiratkaisuihin.

Uudet satojen kerrosten Nand-piirit ovat paremman suorituskyvyn lisäksi entistä energiatehokkaampia.  Niistä Micronin 232-kerroksinen piirit ovat jo tuotannossa. NV-LPDDR4 rakentuvat pienjänniterajapinnan ympärille, joka säästää bittiä kohden yli 30 prosenttia aikaisempiin I/O-liitäntöihin verrattuna.

Pienjänniterajapinta on myös taaksepäin yhteensopiva tukemaan vanhoja ohjaimia ja järjestelmiä. Uudet Micronin flash-piirit toimitetaan 11,5 x 13,5 millimetrin kokoisina, jonka avulla niistä voidaan koota erittäin pieniä Nand-muisiyksiköitä.

Myös korealainen SK Hynix on esitellyt uuden muistipiirirakenteen, jonka 238-kerroksinen 512 gigabitin TLC 4D Nand on myös solupinta-alaltaan pienempi kuin muut 3D-tuotteet. SK Hynixin  Nand-flashien tiedonsiirtonopeus on 2,4 gigatavua sekunnissa, joka on yrityksen mukaan puolet enemmän kuin edellisessä sukupolvessa ja samalla energiankulutus on laskenut 21 prosenttia.

SK Hynix arvioi uudenlaisten 4D-muistien tulevan käyttöön ensin SSD-levyissä.  Myöhemmin piirit tulevat älypuhelimiin ja palvelinkoneiden suurikapasiteettisiin SSD-levyihin. Yritys on toimittanut jo näytteitä uudesta kolmitasoisesta solusta (TLC)1 4D NAND -tuotteestaan. Määrissä valmistus alkaa 2023 ensimmäisellä vuosipuoliskolla.

Lisää: Micronin 238- (LINKKI) ja SK Hynixin 232-kerroksiset Nand flash-muistit (LINKKI)

Kuva: SK Hynixin TLV 3D Nand -piirejä.