Puolijohdepiirien valmistaja Onsemi on esitellyt kaksi uutta tehonohjauspiiriään, joiden avulla voidaan parantaa tekoälyä pyörittävien datakeskusten energiatehokkuutta. Onsemin uudenlaiset Mosfet- ja PowerTrench-piirit tarjoavat  entistä paremman hyötysuhteen ja lämpötehokkuuden.

Onsemin uuden sukupolven T10 PowerTrench- ja EliteSiC 650V MOSFET-piirien avulla voidaan vähentää uusissa datakeskuksissa niissä syntyviä tehohäviöitä ainakin yhdellä prosentilla. Uudella piikarbidi (SiC) MOSFET-piireillä voidaan edelliseen sukupolveen verrattuna voi puolittaa porttivarauksen ja pienentää sekä lähtökapasitanssiin varastoitua energiaa (Eoss) että lähtövarausta (Qoss) 44 prosenttia.

Uutuudet toimivat valmistajan mukaan myös korkeissa lämpötiloissa ja ne voivat vähentää merkittävästi kytkentähäviöitä verrattuna superjunction (SJ) MOSFET-ratkaisuihin.  Komponenttien kokoa voidaan pienentää ja samalla lisätä toimintataajuutta, mikä vähentää järjestelmän kokonaiskustannuksia.

Onsemin T10 PowerTrench on suunniteltu käsittelemään suuria virtoja, jotka ovat ratkaisevia DC-DC-muunnoksissa. Niissä on erittäin alhainen porttivaraus ja alle yhden milliohmin RDS (on). T10:ssa on myös pehmeästi palautuvan runkodiodi ja alempi Qrr minimoivat tehokkaasti signaalin värähtelylle, ylityksiin ja sähköiselle kohinalle.

T10 PowerTrench täyttää myös autosovelluksissa vaaditut tiukat standardit, mikä on olennaista 48 V -järjestelmissä. Onsemin yhdistelmäratkaisu täyttää myös Open Rack V3 (ORV3) -perusmäärittelyn, jota hyperscale-operaattorit vaativat tukeakseen seuraavan sukupolven suuritehoisia prosessoreita.

Lisää: Onsemi (LINKKI), tuotetiedot ja EliteSIC 659V Mosfet (LINKKI) ja T10 PowerTrench  (LINKKI) ja jakelijat (LINKKI, valitse Finland).