Eindhoven teknisen yliopiston tutkijat ovat löytäneet näppärän tavan keventää MRAM-muisteihin liittyvää tehonkulutusta. He pystyvät kääntämään muistin magneettista bittiä nopeammin ja vähemmällä teholla.

MRAM-muistissa (Magnetic Random Access Memory) bittien tallennus tapahtuu va

ihtamalla elektronien spinien suuntaa. Normaalisti tähän käytetään sähkövirtaa, joka sisältää halutun spinsuunnan mukaisia elektroneja.

Kuitenkin bittien kokoa edelleen pienennettäessä virtatiheydet kasvat kovin suureksi ja uudeksi keinoksi on etsitty spin-Hall ilmiön käyttöä.

Siinäkin on omat vaikeutensa ja nyt ryhmä Eindhoven University of Technology -yliopiston fyysikoita on kehittänyt menetelmän kääntää magneettista bittiä nopeammin ja energiatehokkaammin.

Virtapulssi ohjataan bittipalan alle, joka taivuttaa elektroneja ylöspäin, bittipaikan kautta kulkemaan.

Uusi muistirakenne on todella nopea, mutta siinä tarvitaan erityistä anti-ferromagneettista materiaalia bittimateriaalipalan päällä.

LISÄÄ: Nanobitteja.fi -sivustolta (LINKKI) ja yliopiston tiedotteesta (LINKKI)  sekä hollantilaistutkijoiden artikkelista tiedelehti Nature Communicationista (LINKKI)