Amerikkalainen OnSemi haluaa vauhdittaa piikarbidipiireillään autoteollisuuden sähköistymistä. Yrityksen suunnitelma on tuoda piirimarkkinoille nopeutetulla tahdilla useita uusia piikarbidikomponentteja vuoteen 2030 mennessä. Uusin on EliteSIC M3e Mosfet -piiri.

On Semin uuden sukupolven piikarbidipohjaiset EliteSiC M3e Mosfetit vähentävät sähköistämisessä käytettävien poiskytkentähäviöitä jopa puolella.  Niiden luvataan parantavan myös nykyisten virtasyöppöjen sovellusten energiatehokkuutta.

EliteSIC-piirien alusta perustuu käytössä planaarirakenteeseen, joka vähentää sekä sähkön siirrossa että kytkennöissä tapahtuvaa energiahäviötä. Sillä voi olla valmistajan mukaan merkittävä rooli seuraavan sukupolven sähköjärjestelmien suorituskyvyn ja luotettavuuden mahdollistamisessa.

Uusi SiC-alusta pystyy toimimaan korkeammilla kytkentätaajuuksilla ja jännitteillä minimoiden samalla voimansiirtohäviön. Sitä voidaan hyödyntää sähköajoneuvojen voimansiirrossa, DC-pohjaisissa pikalatureissa, aurinkopaneelien inverttereissä ja energian varastointiratkaisuissa.

Lisäksi EliteSiC M3e MOSFET mahdollistaa datakeskusten siirtymän korkeajännitealustoihin. EliteSiC M3e MOSFET vähentää merkittävästi sekä johtumis- että kytkentähäviöitä luotettavalla. Edellisiin sukupolviin verrattuna sen luvataan vähentää johtumishäviöitä 30 prosentilla ja poiskytkentähäviöitä 50 prosentilla.

EliteSIC M3e tarjoaa  myös alan alhaisimman on-ominaisresistanssin (RSP), joka  on erittäin tärkeää piikarbidin (SiC) volyymia hallitsevilla vetoinvertterimarkkinoilla. Erilaisiin tehomoduuleihin pakattuna 1200 voltin M3e-siru tuottaakin huomattavasti enemmän vaihevirtaa kuin aiemmat ratkaisut samassa koossa.

Lisää: Onsemi (LINKKI), EliteSiC M3e MOSFET-tuotetietoa (LINKKI) ja jakelijat (LINKKI, valitse Finland).