Kalifornialaisen USC Viterbin tutkijat ovat saavuttaneet uudenlaisen haihtimattoman muistirakenteen ferrosähköiseen tunnelointiliitokseen (FTJ) tukeutuen. Ratkaisu parantaa datansiirtonopeutta, pidentää esimerkiksi älypuhelimen akun käyttöaikaa ja vähentää datan korruptoitumista.