IBM ja Samsung esittelivät San Franciscon meneillään olevassa sirutekniikan IEDM21-konferenssissa uuden transistorirakenteen. Uudessa VTFET-rakenteessa (Vertical Transport Field Effect Transistors) transistorit pinotaan päällekkäin sirun pinnalle ja virta niiden välillä liikkuu pystysuorasti.