Tag: SiC

Piikarbidipohjaisia mosfettejä latauslaitteisiin

-

Amerikkalainen OnSemi haluaa vauhdittaa piikarbidipiireillään autoteollisuuden sähköistymistä. Yrityksen suunnitelma on tuoda piirimarkkinoille nopeutetulla tahdilla useita uusia piikarbidikomponentteja vuoteen 2030 mennessä. Uusin on EliteSIC M3e Mosfet -piiri.

Uusia tehopiirejä datakeskuksiin

-

Puolijohdepiirien valmistaja Onsemi on esitellyt kaksi uutta tehonohjauspiiriään, joiden avulla voidaan parantaa tekoälyä pyörittävien datakeskusten energiatehokkuutta. Onsemin uudenlaiset Mosfet- ja PowerTrench-piirit tarjoavat  entistä paremman hyötysuhteen ja lämpötehokkuuden.

Kempower ottaa piikarbidipiirit käyttöön

-

Sähköautojen lataustekniikkaa kehittävä Kempower tuo SiC-piikardbipiirit käyttöön uuden sukup olven latausalustassaan.  Uusia SiC-piirejä hyödynnetään uudessa Power Module V2 -tehoyksikössä.

Saksalaisvalmistajalta miljardien eurojen puolijohdeinvestoinnit

-

Saksalainen auto- ja kulutuselektroniikkaa kehittävä Bosch vastaa puolijohteiden kysynnän kasvuun isoilla lisäinvestoinneilla tutkimukseen ja tuotekehitykseen sekä tuotantokapasiteetin laajentamiseen. Erityisesti kulkuneuvojen sähköistyminen vaatii uusia panostuksia piiriosaamiseen sekä puolijohdetuotantoon. Yritys aikoo nostaa Euroopan puolijohdealan valmistuksen osuuden vuoteen 2030 mennessä jo 20 prosenttiin.